8 800100-19-30
Работа в университете
2002 по наст. время

–  профессор  и заведующий кафедрой «Электротехника и электроника»;

1986 – 1990

 – ассистент кафедры «Физика»;

1990 – 1993

 – ст. преподаватель кафедры «Физика»;

  
1993 – 2002
– доцент кафедры «Физика» 
273-85-41
Площадь Гагарина, дом 1, Корпус 1, аудитория 260
Лаврентьев Анатолий Александрович
Заведующий кафедрой , д.ф.-м.н. , Профессор
Биография и награды

Родился 12 октября 1952 г.

1969 г.- окончил среднюю школу с золотой медалью и поступил на физический факультет Ростовского государственного университета, который закончил с красным дипломом в 1974 году.

В 1975-1976 г.г. служба в рядах  СА.

С 1976 г. по 1978 г. работал старшим научным сотрудником НИСа Ростовского пединститута, а в 1979 по сентябрь 1980 г. работал старшим научным сотрудником НИЧ Ростовского государственного университета (РГУ). В сентябре 1980 г. поступил в очную аспирантуру на кафедру физики твердого тела РГУ, по окончании которой работал в научно-исследовательской части РГУ. В декабре 1985 г. Лаврентьев А.А. защитил диссертацию   на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. В декабре 1986   переходит на работу в РИСХМ-ДГТУ и с этого момента по настоящее время его жизнь связана с этим учебным заведением. Сначала он работает на кафедре «Физика» ассистентом, старшим преподавателем (1990 г.), доцентом (1993 г.).

В сентябре 2001 г. защитил докторскую диссертацию и в июле 2002 г. он переходит на работу на кафедру «Электротехника и электроника», где работает профессором и заведующим кафедрой по настоящее время. В ноябре 2003 г.   присвоено ученое звание профессора.
35 лет занимается проблемами полупроводникового материаловедения, проводит квантово-механические расчеты электронно-энергетического строения и важных оптических характеристик, перспективных  для использования в опто- и микроэлектронике сложных по составу и кристаллической структуре полупроводниковых соединений. Под руководством профессора Лаврентьева А.А. защищено 5 кандидатских диссертаций и готовятся к защите 2 диссертации. Профессор Лаврентьев А.А. активно участвует в работе двух докторских диссертационных советов: Д212.208.23 в г. Таганроге по специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» и Д212.208.05 по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния» в НИИ физики ЮФУ.
Образование
1974
Ростовский государственный университет, физика твердого тела
1985
Ростовский государственный университет, защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
2001
Ростовский государственный университет, защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук.
Преподаваемые дисциплины
Электротехника и электроника
Теоретические основы электротехники
Профессиональный опыт
1974 – 1975

 –  институт  физики металлов Уральского научного центра АН СССР (г. Свердловск);

1975 – 1978

 – старший научный сотрудник  НИСа  Ростовского пединститута;

1979 – 1980

– старший научный сотрудник   НИЧ Ростовского государственного университета (РГУ);

1983 – 1985

– старший научный сотрудник   НИЧ Ростовского государственного университета (РГУ);

1986 – 1990

– ассистент кафедры «Физика» ДГТУ;

1990 – 1993

 – ст. преподаватель кафедры «Физика» ДГТУ;

1993 – 2002

– доцент кафедры «Физика» ДГТУ;

2002 по наст. время
 –  профессор  и заведующий кафедрой «Электротехника и электроника» ДГТУ
Стаж работы
39
Стаж работы по специальности
29
Научные интересы
Квантово-механические расчеты электронно-энергетической структуры, рентгеновская и рентгеноэлектронная спектроскопия сложных полупроводниковых материалов

Повышение квалификации и (или) профессиональная подготовка
1985 защита диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
2001 защита диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Публикации

Опубликованы 192 научные работы, из которых 72 статьи в рецензируемых журналах с высоким индексом цитирования, а также 34 статьи на английском языке в зарубежных журналах. Индекс Хирша равен 7. В 2014 году вышла монография Лаврентьева А.А. «Электронная структура моносульфидов переходных 3d-металлов».

Только за последние три года вышло 4 статьи в журналах, индексируемых в базе Scopus, и 4 статьи в журналах, индексируемых в базе Web of Science.

А.А. Лаврентьев, Б.В. Габрельян, П.Н. Шкумат, И.Я. Никифоров Особенности моделирования перехода металл–диэлектрик в CrS и CoS 
Известия РАН. Серия физическая. – 2014. – т. 78, № 8. – стр. 921-924
А.А. Лаврентьев, П.Н. Шкумат, Е.И. Копылова, Б.В. Габрельян, А.К. Синельниченко, И.Ю. Завалий, О.Ю. Хижун Рентгеновские фотоэлектронные спектры и особенности электронно-энергетической структуры кислородстабилизированных фаз Zr4Fe2O и Zr4Ni2
Reports of the National Academy of Science of Ukraine, - 2014, - № 4, стр. 76-81.
A.A. Lavrent’yev, B.V. Gabrel’yan, P.N. Shkumat, I.Ya. Nikiforov Aspects of Simulating Metal–Insulator Transitions in CrS and CoS 
Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. – 2014. – v. 78, № 8. – p. 694-697.

А.А. Лаврентьев, Б.В. Габрельян, В.Т.Ву, П.Н. Шкумат, А.Б. Колпачев. Квантово-механические расчеты электронной структуры фосфорсодержащих сульфидов Sn2P2S6 и TI3PS4. 

Известия РАН. Серия физическая, 2015, том79, №6, с.897-901. Impact Factor: 0.34, SCOPUS.

А.А. Лаврентьев, Б.В. Габрельян, П.Н. Шкумат, И.Я. Никифоров, О.В. Парасюк, О.Ю. Хижун. Электронная структура дефектного халькопирита CdGa2Se4 по данным теоретического расчета «из первых принципов» и рентгеноспектральных исследований. 

Журнал структурной химии, 2015. Том 56, №3 Май-Июнь, С.552-555.  . Impact Factor: 0.642, включ. в другие международные базыцитирования.

A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelyan, V.T.Vu, P.N. Shkumat, G.L. Myronchuk, M. Khvyshchun, A.O. Fedorchuk, O.V. Parasyuk, O.Y. Khyzhun. Electronic structure and optical properties of Cs2HgI4: Experimental study and band-structure DFT calculations
Optical Materials 42 (2015) 351-360. Impact Factor: 1.981, SCOPUS.
A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.T. Vu, P.N. Shkumat, O.V. Parasyuk, A.O. Fedorchuk, O.Y. Khyzhun Single crystal growth, electronic structure and optical properties of Cs2HgBr4

J. Phys. Chem. Solids – 85 (2015) 254–263. Impact Factor: 1.853, SCOPUS.

A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.T. Vu, P.N. Shkumat, V.A. Ocheretova, O.V. Parasyuk, O.Y. Khyzhun Electronic structure and optical properties of Cu2CdGeS4: DFT calculations and X-ray spectroscopy measurements 

Optical Materials 47 (2015) 435–444. Impact Factor: 1.981, SCOPUS.

A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.T. Vu, N.M. Denysyuk, P.N. Shkumat, A.Y. Tarasova, L.I. Isaenko, O.Y. Khyzhun Electronic structure and optical properties of RbPb2Br5
J. Phys. Chem. Solids – 91 (2016) 22–33. Impact Factor: 1.853, SCOPUS
A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.T. Vu, N.M. Denysyuk, P.N. Shkumat, A.Y. Tarasova, L.I. Isaenko, O.Y. Khyzhun Specific features of the electronic structure and optical properties of KPb2Br5: DFT calculations and X-ray spectroscopy measurements 

Optical Materials 53 (2016) 64–72. . Impact Factor: 1.981, SCOPUS.